?即將發(fā)布的三星S8隨著各種神秘細(xì)節(jié)的曝光，可以說是賺足了眼球。在三星S8的多項科技創(chuàng)新中，最引用戶關(guān)注的莫過于全視曲面屏和虹膜識別技術(shù)了。然而俗話說得好，“外行人看熱鬧，內(nèi)行人看門道”。在業(yè)內(nèi)看來，三星S8最讓人期待的部分，其實(shí)是它具有一顆強(qiáng)大的內(nèi)“芯”。

芯片沖動

三星S8搭載的高通驍龍835處理器可以稱得上現(xiàn)在最高水準(zhǔn)的芯片，它是采用三星10nm工藝的首款產(chǎn)品。

更有業(yè)內(nèi)人士感嘆道，這是三星S8在芯片上的任性沖動。究竟這款旗艦芯片強(qiáng)在哪兒呢？難道芯片只是憑借尺寸論高下嗎？答案顯然是否定的。

對于芯片的評判標(biāo)準(zhǔn)，百度知道上是這樣通俗地解釋的：首先是必須具備滿足需求的基本功能，其次需要考慮性能，例如傳輸速度、存儲容量、工作電壓、靜態(tài)電流損耗等，而在考慮性能的同時還需要兼顧成本。此外，還需要考慮到芯片的封裝形式、工作溫度范圍、生產(chǎn)工藝等因素。

而到具體方面，三星S8的芯片沖動主要體現(xiàn)在性能和功耗兩大方面的突破。

性能突破

談到在性能上的突破，則不得不提到三星S8的跑分。據(jù)了解，三星S8在跑分軟件上的測試成績是16萬+，值得注意的是，這只是基于工程測試機(jī)的跑分，而零售版本的跑分預(yù)計會更高。

從整個安卓機(jī)陣營的分析來看，大多數(shù)主流Android旗艦機(jī)的跑分在14萬-15萬+左右，由此來看，搭載這枚處理器的S8跑分高出了約7個百分點(diǎn)，這實(shí)力可謂是不容小覷的，而且這一跑分在未來的很長一段時間都難以被超越。

此外，驍龍835作為是高通移動平臺的一部分，擁有超過30億個晶體管的SoC。由于它是首個使用三星10nm工藝的產(chǎn)品，所以封裝面積對比驍龍820減少了35%。業(yè)內(nèi)人士稱驍龍835中新的CPU構(gòu)架和X16 LTE基帶是最重要的改變，其基帶已經(jīng)可以提供最高1Gbps的下載速度（Cat.16）。

總體來看，驍龍835支持的強(qiáng)大性能提升可歸納為以增強(qiáng)的機(jī)器學(xué)習(xí)為基礎(chǔ)所支撐的五大關(guān)鍵技術(shù)支柱，分別是續(xù)航、沉浸式體驗(yàn)、拍攝、連接和安全。

功耗突破

而持久的續(xù)航能力則體現(xiàn)在降低的功耗上。

與上一代旗艦處理器相比，驍龍835的封裝尺寸減小了35%，并實(shí)現(xiàn)了25%的功耗降低，這意味著更長的電池續(xù)航時間和更纖薄的設(shè)計。

作為處理器的重要組成部分，Kryo 280 CPU可提供高效節(jié)能的功耗架構(gòu)，而CPU、GPU、DSP和軟件框架組合提供了一個高性能的異構(gòu)計算平臺。此外，驍龍835還配備了Qualcomm Quick Charge 4，與使用Quick Charge 3.0相比，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)20%的充電速度提升，以及高達(dá)30%的效率提升。

根據(jù)最新的S8續(xù)航測試結(jié)果，可以發(fā)現(xiàn)搭載3500mAh電池容量的S8+（10nm處理器）要比3600mAh的S7 Edge（14nm處理器）的續(xù)航時長多出42分鐘。由此可以顯而易見，10nm處理器的驍龍835在功耗方面的優(yōu)勢。

所以，三星S8在芯片上的沖動，帶來了更加暢快的體驗(yàn)，有著目前最先進(jìn)的芯片作為支撐，再配備行業(yè)領(lǐng)先的眾多先進(jìn)技術(shù)，三星S8被稱為“機(jī)皇”也就實(shí)至名歸了。